ASML的擔憂似乎成真了。ASML首席執(zhí)行官曾表示,美國的制裁可能會促使中國自主研發(fā)出先進的技術(shù)。當時許多人認為這只是恭維之詞,甚至有人覺得他是為了銷售光刻機而吹捧中國。然而,不到兩年時間,國產(chǎn)光刻機再次實現(xiàn)了重大突破。
中科院成功研發(fā)出了全固態(tài)DUV光源技術(shù),這項技術(shù)可以用于制造3nm芯片,并且得到了國際光電工程學會的認可。這一突破迅速引起了芯片行業(yè)的關(guān)注,因為它與ASML的技術(shù)路線完全不同,打破了歐美光刻機的傳統(tǒng)思路。
光刻機的三大核心技術(shù)包括光源系統(tǒng)、光學系統(tǒng)和雙工作臺,其中光源系統(tǒng)直接決定了光刻機的分辨率和精度。EUV和DUV是兩種主要的光源技術(shù)。在ASML的技術(shù)路線中,DUV光刻機通常用于制造7nm以上的芯片,而EUV光刻機才能制造7nm以下的芯片。由于EUV光刻機非常復(fù)雜,只有ASML能夠生產(chǎn)。
美國試圖通過控制ASML來限制中國芯片技術(shù)的發(fā)展。然而,中科院的固態(tài)DUV光源技術(shù)打破了這種局面。傳統(tǒng)DUV和EUV光刻機使用稀有氣體產(chǎn)生激光,而中科院的技術(shù)則采用固態(tài)晶體產(chǎn)生光源。這一轉(zhuǎn)變帶來了三大技術(shù)突破。
首先,固態(tài)DUV光源技術(shù)可以在7nm甚至3nm芯片制造上發(fā)揮作用,這意味著不需要購買EUV光刻機也能制造先進芯片。其次,這項技術(shù)繞開了美國企業(yè)的專利群,因為其設(shè)計和材料都發(fā)生了巨大變化。最后,固態(tài)光源技術(shù)使光刻機結(jié)構(gòu)更簡單,體積可以縮小30%以上,降低了能耗。
盡管這項技術(shù)還在實驗室階段,許多細節(jié)需要完善,但其潛力不容忽視。即使未來不能完全落地,不斷嘗試新的光源技術(shù)也終將突破現(xiàn)有的技術(shù)限制。這也正是ASML最擔心的地方。
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2024-12-16 11:25:16研究人員研發(fā)出超薄薄膜