在今天的上海IEEE國際電路和系統(tǒng)會議上,華為打破了行業(yè)幾十年來遵循的物理法則,并宣布了一個新標(biāo)準(zhǔn):芯片可以進(jìn)行折疊。這不是簡單的改進(jìn),而是一場革命。

何庭波表示,2020年后,先進(jìn)的生產(chǎn)工藝被封鎖,依靠縮小制程的老方法已經(jīng)行不通。去年推出的麒麟9030 Pro雖然表現(xiàn)不錯,但大家都明白那是在“飽和區(qū)”。

換一個賽道成為唯一選擇。以前全球半導(dǎo)體公司都在玩數(shù)字游戲,追求更小的納米數(shù),但實際上臺積電的3納米只有290MTr/mm2,三星僅有170MTr/mm2,英特爾也只有520MTr/mm2。最終目標(biāo)是提高晶體管密度,而不是無限減小晶體管。

華為的邏輯折疊技術(shù)改變了這一現(xiàn)狀。這種方法將芯片設(shè)計提升到更高層次,通過垂直疊加兩層芯片結(jié)構(gòu),大幅提高晶體管密度。這就是華為所稱的“韜(τ)律”,以時間縮小代替幾何縮小,在三維空間中找到最短距離。

華為公布的數(shù)據(jù)顯示,麒麟2026芯片相比傳統(tǒng)2D平面工藝,晶體管密度提高了53.5%,達(dá)到238MTr/mm2。這在“先進(jìn)制程受阻”下取得的成績令人矚目。即使沒有最先進(jìn)的EUV光刻機,華為也能通過成熟節(jié)點工藝實現(xiàn)高集成度。

這意味著華為不再擔(dān)心被卡脖子。麒麟2026的P核頻率已達(dá)到3.1GHz,并有望繼續(xù)提高至5.0GHz。能效比、散熱和帶寬也得到了全新設(shè)計。

自2020年起,華為失去了頂尖代工廠商和先進(jìn)技術(shù)供應(yīng),但經(jīng)過六七年的努力,華為突破了芯片性能,實現(xiàn)了重大進(jìn)展。何庭波提出的“韜(τ)律”擴(kuò)展了摩爾定律到三維空間,為華為帶來了新的開始。

華為還構(gòu)建了完整的中國人工智能基礎(chǔ)設(shè)施體系,大規(guī)模生產(chǎn)了3810種自主研發(fā)芯片。邏輯折疊技術(shù)的優(yōu)勢在于用成熟技術(shù)替代先進(jìn)工藝,通過垂直整合邏輯層面,顆粒度完全不同。

未來十年,邏輯折疊技術(shù)將在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,進(jìn)一步提升器件、電路、芯片和系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。華為已經(jīng)在3D折疊技術(shù)上取得了跨代別的突破,給三星和臺積電帶來了巨大壓力。