中國(guó)研發(fā)成功離子注入機(jī) 打破美日技術(shù)壟斷

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2026-01-21 10:14:44 Hey我是郝

中國(guó)研發(fā)成功離子注入機(jī) 打破美日技術(shù)壟斷。2026年1月17日，中核集團(tuán)宣布中國(guó)原子能科學(xué)研究院自主研發(fā)的我國(guó)首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)（型號(hào)POWER-750H）成功出束。該設(shè)備的核心性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了關(guān)鍵跨越。

高能氫離子注入機(jī)作為芯片制造的重要裝備之一，長(zhǎng)期被美日企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體制造曾完全依賴進(jìn)口設(shè)備。此次POWER-750H的成功研制，意味著我國(guó)已全面掌握從核心零部件到整機(jī)集成的全鏈路研發(fā)技術(shù)，攻克了功率半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵技術(shù)難題。這一突破不僅填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高能離子注入機(jī)的技術(shù)空白，還為我國(guó)高端制造裝備自主可控提供了重要支撐，對(duì)保障集成電路產(chǎn)業(yè)鏈安全具有里程碑意義。該設(shè)備采用了獨(dú)創(chuàng)的梯度壓力控制法與國(guó)產(chǎn)磁分析器技術(shù)，在束流傳輸效率、能量穩(wěn)定性等關(guān)鍵參數(shù)上表現(xiàn)優(yōu)異，設(shè)計(jì)連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)壽命可達(dá)75000小時(shí)以上。

POWER-750H的成功出束不僅是單一設(shè)備的技術(shù)突破，更是我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化從“單點(diǎn)突圍”向“生態(tài)構(gòu)建”邁進(jìn)的重要信號(hào)。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重構(gòu)與國(guó)內(nèi)政策持續(xù)加碼的背景下，這一突破的產(chǎn)業(yè)價(jià)值與市場(chǎng)影響顯著。

技術(shù)層面，此次突破打破了美日企業(yè)長(zhǎng)達(dá)30年的技術(shù)壟斷，使我國(guó)成為全球第三個(gè)掌握串列型高能氫離子注入機(jī)全鏈路技術(shù)的國(guó)家。高能機(jī)型占整個(gè)離子注入機(jī)市場(chǎng)的57%份額，此前國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域完全依賴進(jìn)口。POWER-750H的出現(xiàn)改變了這一被動(dòng)局面。其核心性能達(dá)到了國(guó)際對(duì)標(biāo)甚至局部超越，離子能量達(dá)750keV，束流傳輸效率提升至92%，較國(guó)際同類產(chǎn)品高出7個(gè)百分點(diǎn)，能量穩(wěn)定性控制在±0.3%以內(nèi)。此外，設(shè)備核心零部件國(guó)產(chǎn)化率達(dá)85%，掌握了正向設(shè)計(jì)能力，擺脫了過(guò)去依賴進(jìn)口設(shè)備工藝窗口的限制，支持工程師自主定義摻雜參數(shù)，為國(guó)產(chǎn)芯片開(kāi)辟了全新技術(shù)路線。

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