全球存儲行業(yè)正經(jīng)歷一場由AI技術(shù)驅(qū)動的深刻變局與供給危機。市場研究機構(gòu)預測,2026年第一季度DRAM合同價格漲幅將達到58%,其中服務(wù)器與移動DRAM漲幅預計超過60%。此輪短缺被定性為“結(jié)構(gòu)性供需失衡”,美光高管表示短缺問題在2028年前難以緩解。
隨著存儲芯片進入歷史性漲價周期,A股市場的資金持續(xù)交易漲價邏輯。本周,佰維存儲、兆易創(chuàng)新、江波龍等板塊龍頭公司的股價創(chuàng)下新高,顯示機構(gòu)投資者正在對存儲行業(yè)的估值邏輯進行系統(tǒng)性重估,從單純的周期博弈轉(zhuǎn)向?qū)Τ砷L確定性和產(chǎn)業(yè)鏈地位的價值重估。
存儲芯片市場的供需失衡正在以超出預期的速度加劇。美光副總裁克里斯托弗·摩爾表示,即使投入巨資,存儲芯片短缺問題在2028年前仍難以緩解。瑞銀和摩根大通等外資機構(gòu)也一致認為存儲芯片漲價將持續(xù)。UBS預測2026年第一季度DDR合同價格環(huán)比上漲58%,NAND閃存環(huán)比上漲27%。
針對傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品供應(yīng)短缺,海外巨頭普遍選擇提價。三星與SK海力士計劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格提升60%~70%。美光正籌劃以18億美元現(xiàn)金收購力積電位于中國臺灣苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠廠房及設(shè)施,預計此次收購將有助于其從2027年下半年開始顯著提高DRAM晶圓產(chǎn)量。
本輪存儲芯片的漲價成為歷史上最為強勁的漲價周期之一。AI模型與推理場景的爆發(fā)式增長是核心驅(qū)動力,AI數(shù)據(jù)中心的存儲需求占比已躍升至市場的50%~60%。存儲廠商將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5等高端產(chǎn)品,大幅削減傳統(tǒng)存儲芯片的供應(yīng),導致傳統(tǒng)產(chǎn)品供需失衡。
全球存儲原廠剛剛從2023年至2024年的“暴跌、虧損與削減產(chǎn)能”中恢復,頭部廠商維持著相對克制的擴產(chǎn)策略。相比前一輪“缺芯潮”中的大規(guī)模擴產(chǎn),本輪存儲周期的供給端反應(yīng)遠遠跟不上需求的爆發(fā),進一步推升了價格上漲。
又一家存儲龍頭宣布漲價。閃存龍頭閃迪11月大幅調(diào)漲NAND閃存合約價格,漲幅高達50%。這是閃迪今年以來至少第三次漲價。自9月起,主流存儲產(chǎn)品的漲價預期和持續(xù)性大幅增強
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