美國(guó)的舉措為中國(guó)本土半導(dǎo)體企業(yè)提供了發(fā)展機(jī)遇。存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化的窗口再次打開，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲得了更明確的市場(chǎng)缺口和發(fā)展機(jī)遇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層3D NAND閃存已通過(guò)華為、小米等客戶驗(yàn)證，良品率突破90%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的19nm DRAM芯片實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。在設(shè)備領(lǐng)域，中微公司的5nm蝕刻機(jī)、北方華創(chuàng)的PVD沉積設(shè)備等核心裝備正在加速替代應(yīng)用材料、泛林等美國(guó)企業(yè)的產(chǎn)品。數(shù)據(jù)顯示，2024年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率已從2018年的5%提升至28%，預(yù)計(jì)2025年將突破35%。這些進(jìn)展表明，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主能力正在逐步提升。

美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的打壓經(jīng)歷了從貿(mào)易措施到技術(shù)封鎖的過(guò)程。2018-2020年間，特朗普政府對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品加征關(guān)稅，隨后將華為、中芯國(guó)際等企業(yè)列入實(shí)體清單，實(shí)施技術(shù)出口管制。2021-2023年，拜登政府通過(guò)《芯片與科學(xué)法案》進(jìn)一步強(qiáng)化限制，一方面提供巨額補(bǔ)貼本土半導(dǎo)體制造，另一方面禁止受助企業(yè)在華擴(kuò)建先進(jìn)晶圓廠，并聯(lián)合日本、荷蘭等盟友限制關(guān)鍵設(shè)備對(duì)華出口。到2024-2025年，美國(guó)政府的打壓措施甚至延伸至“傳統(tǒng)制程”，限制美國(guó)人士在華晶圓廠任職，并通過(guò)“芯片四方聯(lián)盟”構(gòu)建多邊圍堵體系。此次撤銷VEU授權(quán)是這一系列行動(dòng)的最新升級(jí)。

美國(guó)此次決策背后有多重戰(zhàn)略考量。一是出于國(guó)家安全擔(dān)憂，擔(dān)心外資在華晶圓廠可能存在技術(shù)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。二是為了鞏固經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)，通過(guò)向三星和SK海力士施壓，美國(guó)意圖加速供應(yīng)鏈從中國(guó)轉(zhuǎn)移，鼓勵(lì)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向美國(guó)、韓國(guó)或日本等盟友，以應(yīng)對(duì)中國(guó)在成熟制程領(lǐng)域的成本與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)。三是保持技術(shù)霸權(quán)，美國(guó)意圖通過(guò)“小院高墻”策略遏制中國(guó)在AI、超算等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步，維持其全球技術(shù)主導(dǎo)地位。選擇在韓美峰會(huì)后宣布這一決定，也暗示可能與韓國(guó)存在協(xié)調(diào)或利益交換。