此次募資中,將有75億元用于量產線技術升級改造,130億元用于DRAM存儲器技術升級,另有90億元投向動態(tài)隨機存取存儲器的前瞻技術研發(fā)。國盛證券分析認為,這一募資規(guī)模將有力支撐后續(xù)大規(guī)模產能擴張。西部證券則強調,隨著公司產線建設穩(wěn)步推進,整體產能將持續(xù)提升,預計將進一步提升在全球市場的競爭力。
在業(yè)績爆發(fā)的背后,是長鑫科技在全球DRAM市場地位的歷史性突破。西部證券援引Omdia的數(shù)據(jù)指出,按照產能、出貨量和銷售額綜合統(tǒng)計,長鑫科技已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商,2025年第四季度的全球市場份額已增至7.67%。招商證券也確認了這一數(shù)據(jù),并指出隨著公司合肥一期、合肥二期及北京三條12英寸生產線的產能建設和產品迭代,其產能及產量均大幅提升,考慮到國內DRAM市場約占全球需求的25%以及公司現(xiàn)金流向好,其產能規(guī)模有望持續(xù)提升,進一步在全球競爭中擴大份額。
更為關鍵的是,長鑫科技在技術維度上正加速縮小與國際巨頭的差距。興業(yè)證券分析指出,公司于2024年推出新一代16GbDDR5產品,跳過了17nm節(jié)點直接采用16nm節(jié)點,實現(xiàn)了對海外廠商工藝差距的進一步縮小,并同時布局HBM以直面AI浪潮。東方證券關注到,長鑫科技已完成從第一代到第四代工藝技術平臺的量產,以及從DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的產品迭代,核心產品已達到國際先進水平。當前,國際領先的DRAM企業(yè)正面臨制程微縮的物理極限與成本劇增的挑戰(zhàn),長鑫科技正積極推進4F2垂直溝道晶體管、CBA(CMOSdirectlyBondedtoArray)等新技術方案,這些領域國內外廠商均處于探索階段,為國產廠商提供了彎道超車的可能。
長鑫科技的千億級擴產計劃同樣值得關注,這將為國產半導體設備、材料和零部件廠商帶來歷史性機遇。數(shù)據(jù)顯示,公司2023年至2025年的資本性支出分別高達437億元、712億元和497億元,單座DRAM產線投資超百億美元,且隨著制程升級,設備投入將進一步攀升。招商證券指出,國內存儲原廠擴產趨勢明確,國產化率有望持續(xù)提升,設備、零部件及材料的訂單增長趨勢明確。