國內(nèi)團(tuán)隊稱破解芯片光刻缺陷難題 顯著減少光刻缺陷(2)
交叉學(xué)科研究在這項研究中起到了關(guān)鍵作用。彭海琳表示，Cryo-ET技術(shù)此前主要用于結(jié)構(gòu)生物學(xué)，近期斯坦福大學(xué)研究人員將其應(yīng)用于電池領(lǐng)域，而他們則將其應(yīng)用于光刻領(lǐng)域，這是一種跨學(xué)科交叉研究。課題組內(nèi)不同領(lǐng)域的研究人員容易碰撞出火花，很自然就想到用Cryo-ET技術(shù)來解析溶液中的光刻膠高分子。
近年來，國內(nèi)學(xué)界在光刻膠研究領(lǐng)域取得了一些重要進(jìn)展，部分成果已在賦能半導(dǎo)體制造。例如，清華大學(xué)許華平教授在極紫外光刻材料上取得了重要進(jìn)展，開發(fā)出一種基于聚碲氧烷的新型光刻膠。復(fù)旦大學(xué)魏大程團(tuán)隊設(shè)計了一種功能型光刻膠，實現(xiàn)了特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造。華中科技大學(xué)與湖北九峰山實驗室組成聯(lián)合研究團(tuán)隊，突破了“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。
彭海琳認(rèn)為，需要由產(chǎn)業(yè)界提需求，學(xué)術(shù)界進(jìn)行基礎(chǔ)研究并反饋給產(chǎn)業(yè)界。隨著集成電路工藝演進(jìn)，光刻機(jī)從DUV演變到EUV。中國學(xué)者在光刻膠相關(guān)研究領(lǐng)域處于努力追趕狀態(tài)。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)QYResearch數(shù)據(jù)，2024年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模約26.85億美元，預(yù)計2031年將達(dá)45.47億美元。盡管目前前五大廠商占據(jù)了大部分市場份額，但國內(nèi)企業(yè)已在部分中低端產(chǎn)品領(lǐng)域取得突破，并投入EUV光刻膠研發(fā)，推動光刻膠國產(chǎn)化進(jìn)程。國內(nèi)仍需在極紫外光刻膠領(lǐng)域提前布局，追趕國際同行的步伐。
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