值得注意的是,今年3月份,臺(tái)積電剛宣布投資1000億美元,以擴(kuò)大在美國(guó)的產(chǎn)能。這筆投資將用于在亞利桑那州建設(shè)三座芯片制造工廠以及兩座封裝設(shè)施。臺(tái)積電副總經(jīng)理克里夫蘭表示,他們將在鳳凰城生產(chǎn)這些芯片,支持美國(guó)AI領(lǐng)導(dǎo)地位,但美國(guó)是不一樣的市場(chǎng),勞工成本很高。目前,美國(guó)制造面臨多重挑戰(zhàn)。響應(yīng)美國(guó)投資案的企業(yè)中,約40%的項(xiàng)目已出現(xiàn)進(jìn)度延誤或暫停。臺(tái)積電便是其中一例,其在美國(guó)的工廠歷經(jīng)四年仍未順利投產(chǎn),而亞利桑那州第二座工廠的量產(chǎn)時(shí)間也再次推遲兩年。
在原先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的支持下,英特爾能否走出目前的困境仍存疑問(wèn)。財(cái)務(wù)報(bào)告顯示,截至2024年年底,英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)的不動(dòng)產(chǎn)、廠房和設(shè)備總值達(dá)到1080億美元;而臺(tái)積電的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)則是987億美元。然而,由于在先進(jìn)制程上的落后,以及制造效率低、成本高,英特爾一直難以吸引足夠多的客戶。而在芯片制造上的持續(xù)巨大投入,讓英特爾2024年出現(xiàn)了188億美元的凈虧損,這也是其自1986年以來(lái)的首次年度虧損。在技術(shù)層面,英特爾7nm以下先進(jìn)制程研發(fā)滯后臺(tái)積電至少兩代——臺(tái)積電3nm芯片已于2023年量產(chǎn),而英特爾同類產(chǎn)品預(yù)計(jì)最快2025年年底投產(chǎn)。
雖然不少業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臺(tái)積電的先進(jìn)制程技術(shù)和成功經(jīng)驗(yàn)?zāi)軒陀⑻貭栕叱隼Ь?,但前述?bào)道中,英特爾和臺(tái)積電雙方部分高層的反對(duì)聲音和顧慮也能反映出一些合作可能存在的挑戰(zhàn)。此外,還有眾多現(xiàn)實(shí)的挑戰(zhàn)因素。關(guān)于這項(xiàng)合資計(jì)劃,一個(gè)關(guān)鍵疑問(wèn)點(diǎn)是:考慮到兩家公司使用的設(shè)備型號(hào)和材料不同,制程的兼容性也有待驗(yàn)證,未來(lái)雙方究竟要怎么合作?如果合資企業(yè)采用臺(tái)積電的技術(shù)路線,英特爾就需要淘汰現(xiàn)有的大部分設(shè)備,相當(dāng)于變相把代工業(yè)務(wù)出售給臺(tái)積電。這樣的話,英特爾就不得不調(diào)整設(shè)備采購(gòu)策略,以及大規(guī)模裁掉半導(dǎo)體工程師。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,在特朗普政策搖擺不定、技術(shù)代差難以彌合、內(nèi)部整合阻力重重的背景下,該合作更像是一場(chǎng)高風(fēng)險(xiǎn)的實(shí)驗(yàn)。