DNP大日本印刷本月12日宣布,成功在其光掩模制品上繪制了支持2nm及以下EUV工藝的精細光掩模圖案。該企業(yè)還完成了支持High NA EUV光刻的光掩模的初步評估,并已向生態(tài)合作伙伴出樣。
在現(xiàn)代光刻系統(tǒng)中,光掩模上的“大圖案”是晶圓上芯片電路“小圖案”的模板。DNP在2023年完成了適用于3nm工藝的光掩模開發(fā)。滿足2nm及以下工藝的光掩模不僅需要在直線圖案尺寸上較3nm世代產(chǎn)品縮小20%,還需要在復(fù)雜度更高的曲線圖案上實現(xiàn)同比例的尺寸壓縮。
DNP此次成功繪制精細圖案,意味著其光掩模產(chǎn)品可滿足2nm及以下名義制程邏輯半導(dǎo)體的生產(chǎn)需求,為更高效邏輯芯片的曝光打下了基礎(chǔ)。DNP計劃于2027財年(起始于同自然年4月)實現(xiàn)2nm光掩模量產(chǎn)。
考慮到DNP和Rapidus的合作關(guān)系,DNP的新光掩模預(yù)計將用于Rapidus計劃于2025年4月啟動的2nm試產(chǎn)線。
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