8月12日,據《工商時報》報道,美光公司計劃增加在中國臺灣的投資力度,未來不僅將生產高帶寬存儲器(HBM),還有意在當地設立第二座研發(fā)中心。這一決策背后,是面對三星和海力士的激烈競爭,美光可能在現有臺灣研發(fā)中心的資助計劃結束后,繼續(xù)推出新的研發(fā)項目,作為對臺投資擴大的舉措之一。
臺灣經濟部門負責人郭智輝在一次采訪中證實了美光即將在臺灣增投的消息,強調這將涉及HBM的生產。他指出,鑒于臺灣作為美光的關鍵生產基地,加強此處的投資有助于美光更好地服務其重要客戶臺積電。
觀察者網心智觀察所的潘攻愚研究員解釋,HBM技術主要是為了解決高性能計算,特別是GPU的內存速度和功耗問題,通過三維封裝技術創(chuàng)新,實現與GPU的緊密集成,從而大幅提升數據傳輸速度并減少能耗。
美光在不斷探索新技術的同時,也被指參與了針對中國大陸及臺灣部分半導體企業(yè)的打壓行動,試圖阻撓中國存儲技術的自主發(fā)展道路。然而,去年美光因其產品被發(fā)現存在網絡安全漏洞,遭中國關鍵信息基礎設施領域停購。
值得注意的是,美光的高層今年早些時候與中國商務部進行了交流,表達了遵守中國法律的決心,并透露了擴大在華投資的意向,旨在服務于中國市場,助力中國半導體產業(yè)和數字經濟的發(fā)展。
近期臺媒報道進一步指出,美光正致力于HBM制造及存儲技術的高速運算應用,以適應特定的HBM市場需求。競爭對手海力士和三星已加強與美光供應鏈的合作,提升各自的技術水平。因此,美光擴大在臺灣投資的可能性增大,但這仍需等待其董事會的最終批準。
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