俄羅斯在“工業(yè)俄羅斯數(shù)字產(chǎn)業(yè)”會(huì)議中宣布，成功自主研發(fā)并制造了首臺(tái)光刻機(jī)，正進(jìn)行測(cè)試階段。這臺(tái)設(shè)備適用于350nm制程的芯片生產(chǎn)，有望服務(wù)于汽車、能源和電信等行業(yè)，成本約為4.95萬美元。若此成就屬實(shí)，俄羅斯將成為第五個(gè)完全掌握光刻技術(shù)的國(guó)家，也是在美國(guó)制裁壓力下自主研發(fā)光刻機(jī)的唯一國(guó)家。

光刻機(jī)技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)至關(guān)重要，目前7nm及以上制程主要依賴DUV光刻機(jī)，而ASML壟斷了5nm、3nm等先進(jìn)制程所需的EUV光刻機(jī)市場(chǎng)。俄羅斯的350nm光刻機(jī)采用超紫外線平版印刷術(shù)，盡管技術(shù)上與國(guó)際領(lǐng)先水平有差距，但對(duì)于提升本國(guó)微電子自主生產(chǎn)能力具有戰(zhàn)略意義。

鑒于國(guó)際形勢(shì)，ASML、尼康等光刻設(shè)備供應(yīng)商已暫停對(duì)俄出口。俄羅斯進(jìn)口芯片規(guī)模有限，2021年約為1億美元，全球市場(chǎng)占比微乎其微。為此，俄羅斯政府制定了到2030年的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)圖，旨在實(shí)現(xiàn)電子零部件本土化和減少對(duì)外依賴，目標(biāo)是到2030年將半導(dǎo)體市場(chǎng)份額提升至3%，并將國(guó)產(chǎn)電子元件比例從11%提高至70%。

為支持這一計(jì)劃，普京總統(tǒng)批準(zhǔn)了超過174億元人民幣的巨額資金，用于電子工程綜合發(fā)展，包括建造新工廠。俄羅斯現(xiàn)有的兩家主要晶圓廠Mikron和Angstrem公司預(yù)計(jì)將受益于國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的投入使用。

俄羅斯的雄心不止于此，計(jì)劃到2026年推出130nm光刻機(jī)原型，并繼續(xù)向更高精度的90nm乃至更先進(jìn)的光刻技術(shù)邁進(jìn)。諾夫哥羅德應(yīng)用物理研究所還透露，俄羅斯有望在2028年實(shí)現(xiàn)7nm芯片光刻機(jī)的全面生產(chǎn)，并且俄羅斯科學(xué)院也在探索X射線光刻技術(shù)，以期在未來幾年內(nèi)開發(fā)出高性能光刻系統(tǒng)。

盡管俄羅斯展現(xiàn)出在AI、量子計(jì)算等領(lǐng)域的野心，但外界對(duì)此持有保留態(tài)度，認(rèn)為俄羅斯想要短時(shí)間內(nèi)獨(dú)立研發(fā)出尖端光刻技術(shù)并建立完整的芯片生產(chǎn)線面臨巨大挑戰(zhàn)。然而，俄羅斯官員強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體主權(quán)對(duì)于維護(hù)國(guó)家技術(shù)主權(quán)至關(guān)重要，并預(yù)期到2023年能達(dá)到14nm生產(chǎn)水平，展現(xiàn)其在芯片技術(shù)自主道路上的決心。

綜觀全局，俄羅斯在追求芯片自主生產(chǎn)的道路上邁出了實(shí)質(zhì)性的步伐，盡管前路充滿未知和挑戰(zhàn)，但其戰(zhàn)略意圖和投資力度不容小覷。