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眨眼間完成10億次存儲 科研團(tuán)隊研制出超高速閃存

2025-04-17 11:07:44 來源：央視新聞客戶端 A+A-

眨眼間能完成10億次存儲 上海科研團(tuán)隊研制出超高速閃存

記者從上海市科委獲悉，集成芯片與系統(tǒng)全國重點(diǎn)實驗室周鵬-劉春森團(tuán)隊通過構(gòu)建準(zhǔn)二維泊松模型在理論上，預(yù)測了超注入現(xiàn)象打破了現(xiàn)有存儲速度的理論極限研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件。其擦寫速度可提升至亞1納秒。400皮秒相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作，是迄今為止世界上最快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)。相關(guān)成果以《亞納秒超注入閃存》為題于北京時間4月16日晚間在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表。

眨眼間完成10億次存儲 科研團(tuán)隊研制出超高速閃存

AI時代，大數(shù)據(jù)的高速存儲至關(guān)重要。如何突破信息存儲速度極限，一直是集成電路領(lǐng)域最核心的基礎(chǔ)性問題之一，也是制約AI算力上限的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。要實現(xiàn)大數(shù)據(jù)的高速存儲，意味著與之匹配的存儲器必須是在存儲速度、能耗、容量上均表現(xiàn)優(yōu)異的“六邊形戰(zhàn)士”。

然而，既有存儲器的速度分級架構(gòu)形如一座金字塔——位于塔上層的易失性存儲器（如SRAM、DRAM）擁有納秒級的高速存儲，但其存儲容量小、功耗大、制造成本高、斷電后數(shù)據(jù)會丟失；而位于塔底的非易失性存儲器（如閃存）則恰恰相反，雖克服了前者的種種劣勢，但唯一的美中不足，便是百微秒級的存取速度不及前者十萬分之一，遑論滿足AI的計算需求。

既然閃存除了速度都是優(yōu)點(diǎn)，有沒有可能補(bǔ)齊它的速度短板？為此，周鵬-劉春森團(tuán)隊開展攻關(guān)，試圖重新定義存儲的邊界，找到一種“完美”的存儲器。

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